技术简介： 本发明公开了一种光致变色化合物6’-氮杂环取代-9’-酰氧基酯化螺噁嗪及其制备方法，R1选自取代或非取代的咪唑基、吡唑基、吡咯基、吲哚基、吲唑基或嘌呤基，所述取代基为卤素或C1～6烷基；R2选…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一类芴基风车格子及其制备和应用方法，属于有机分子材料与光电高新技术领域。该类芴基风车格子是以芴基小分子为单体的环状寡聚物，具体通式结构如下：该类材料具有以下特点：(1)芴基…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种芴基有机框架材料及其制备和应用方法，该方法构筑的“日”字形框架结构材料作为新一代有机半导体应用于有机电子器件。该材料结构如下：该类材料具有以下特点：（1）格式反应和付…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种氮杂芴螺环芳烃的合成方法，属有机半导体材料合成领域。该合成方法以氮杂芴酮和酚类衍生物为反应底物，在酸催化下，25~160℃反应12~16小时，经由阳离子接力串联反应，一步高效的…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于有机光电材料技术领域。具体涉及不同框架的卟啉金属配合物的合成已及应用。该类配合物由不同结构的卟啉环和金属配位而得到，结构通式如下。该类配合物吡咯，五氟苯甲醛和三甲基硅基乙…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种四聚吲哚（5,10,15,20-tetrahydrotriindolo[2’,3’:3,4:2’,3’:5,6:2’,3’:7,8]cycloocta[1,2-b]indole）的制备方法。该方法简洁快速，通过在2-吲哚酮原料中加入一定量的三氯…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种三并咔唑基梯形有机半导体激光材料及其制备方法与应用。该材料的结构以三并咔唑结构单元为核，以不同共轭长度的梯形芴结构为臂，选用不同端基进行封端的梯形大分子衍生物。本发…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提出了一种氮原子掺杂的稠环芳烃化合物及其制备方法与应用，更具体的是六溴三并咔唑衍生物(TATBr)与2‑芳基硼酸通过微波辅助的Suzuki偶联反应得到六芳基三并咔唑衍生物；接着，使用三氯化…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于光电子材料领域，公开了一种制备双极性高效有机半导体材料的方法，该方法以咔唑、二苯胺等芳香基团封端的均三嗪结构单元为基础，然后和三并咔唑通过C‑N键或C‑C键连接，该材料结构具…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一类纳米格子与纳米聚合物格子材料及其制备和应用方法，属于光电高新技术领域。该类纳米聚合物材料是以纳米格子为单体的均聚物或共聚物，具体通式结构如下：该类材料具有以下特点：(1…… 查看详细 >
一类基于多环芳烃K位并咪唑基的有机半导体材料的制备方法及应用
技术简介： 本发明公开了基于多环芳烃K位并咪唑基有机半导体材料的制备方法及其应用。合成所得材料结构通式如下，其中，Ar表示芳基及取代芳基，R表示长短的不一的烷基链，结构设计的特点在于咪唑连接的苯环…… 查看详细 >
技术简介： 本发明具体公开了一种离子型苝酰亚胺类材料与制备方法及其有机存储器件。所述电双稳态材料的化学结构式如下其中R1、R2选自C1～C6的烷基或苯基的一种。R3为Cl、Br、I的一种。本发明成功制备了电…… 查看详细 >
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