技术简介： 摘要：本发明涉及一种用于横向高压器件和智能功率集成电路的厚膜SOI材料。本发明依次包括半导体衬底、薄隐埋氧化层、P型硅隐埋层和N型顶层硅膜。半导体衬底和N型顶层硅膜中的杂质为均匀分布；半…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种肖特基结隧穿场效应晶体管，包括第一栅极、源区、漏区、沟道区、重掺杂pocket区、第一栅介质层、第二栅极和第二栅介质层；本发明在漏区利用金属或金属硅化物代替重掺杂的…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了单光子雪崩光电二极管的制作方法。现有单光子雪崩二极管的保护环能够承受的最大偏置电压过低。本发明单光子雪崩光电二极管的制作方法硅基上均匀掺杂p‑衬底，p‑衬底的中心掺…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于深度学习的动力电池配组方法。现有配组方法劳动强度大，易受检测人员主观因素的影响，容易造成误测量和误匹配的现象。本发明方法首先获取动力电池充放电回路中所有电池…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型涉及一种RFID易撕蚀刻天线，包括天线、支撑层(3)，所述的天线粘接于支撑层(3)，所述的天线包括天线电路层(1)和薄膜基材(2)，天线电路层(1)与薄膜基材(2)粘接，薄膜基材(2)与所…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种高增益宽角度双频段扫描天线，由上下表面涂有金属贴片的介质基片及微带线交替连接构成，介质基片沿天线的长度方向上两侧开有等间距等半径的金属化通孔；金属化通孔贯穿上…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种基于CC3200的WIFI云端远程遥控电源插座。本实用新型包括电源转换模块、CC3200LaunchPad开发板、继电器驱动电路、单相固态继电器、负载电器插座板。电源转换模块为CC3…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了双波长光纤激光器，其激光泵浦源与波分复用器的a端口相连，波分复用器的c端口与掺铒光纤的一端相连，掺铒光纤的另一端与第一耦合器的d端口相连，第一耦合器的f端口与隔离器的…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种基于偏振控制器的2微米锁模光纤激光器。本发明中的泵浦波源与第一耦合器的第一端口连接，第一耦合器的第二端口与隔离器的第一端口相连，隔离器的第二端口与频率调制器第…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种波长间隔可调谐的多波长光纤激光器，包括可调光源(1)、光耦合器(2)及光谱仪(9)，可调光源(1)与光耦合器(2)的第一端口(a)通过光纤连接，光耦合器(2)的第三端口(c)通过线性…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了基于双泵浦参量过程的超短脉冲发生器，包括两泵浦源、两掺铒光纤放大器、强度调制器、相位调制器、两偏振控制器，三光隔离器、两耦合器、高非线性光纤、信号源，第一泵浦波源…… 查看详细 >
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