1.技术需求及技术痛点概述:功率集成电路(Power IC)是新能源汽车、智能电网、轨道交通等领域的核心元器件,其性能直接依赖衬底材料的电学特性。重掺砷单晶硅的制备面临以下瓶颈:一是热场控制难,拉晶过程中热场稳定性要求极高,现有设备难以满足工艺需求;二是掺杂均匀性差,高浓度砷掺杂易导致成分偏析,影响器件均一性;三是晶体缺陷率高,砷原子与硅晶格失配引发位错、层错等缺陷,降低成品率。寻求该相关替代技术。
2.意向合作单位:北方民族大学。
Copyright © 2018 宁夏回族自治区生产力促进中心 版权所有 宁ICP备11000235号-3 宁公网安备 64010402000776号