近化学计量比铌酸锂（SLN）晶体材料制备技术需求

需求内容

为实现SLN晶体在非线性光学、电光调制及未来纳米电子器件等高端领域的产业化应用，亟需攻克两大核心瓶颈：一是实现Li含量高度均匀、缺陷密度低、光学性能优异的大尺寸SLN晶片的稳定、可重复制备技术，以解决当前材料一致性差、制约器件性能与成品率的关键材料问题；二是发展能够满足红外-紫外激光产生、太赫兹波发射、电光调制及存储等多功能需求的复杂畴结构（一维、二维、倾斜畴等）的精准设计与可控制备技术，突破畴工程的工艺窗口窄、结构一致性难以保证的产业化障碍。预期成效：1、掌握高性能SLN晶片的稳定制备技术，产品Li含量均匀性、光学质量达到应用要求。2、掌握系列化畴结构（周期极化、二维畴、倾斜畴等）的定制化设计与制备能力，为多类光电器件提供核心材料。3、建成短期年产5000片的SLN晶片示范生产线，形成2-3项发明专利及相关企业标准。

合作要求

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