1.技术需求及技术痛点概述:目前,物理气相传输法(PVT法)是制备高纯碳化硅粉体的主流技术。然而,在晶体升华生长过程中,若粉体原料含氮杂质过高,将导致两个关键问题:其一,氮元素通过气相传质掺入晶体,显著提升最终产物——高纯半绝缘碳化硅单晶中的氮含量;其二,氮杂质的存在会加剧晶格缺陷的生成,降低晶体结构完整性。由于氮杂质作为施主掺杂会破坏材料的半绝缘特性,因此控制粉体原料的氮含量对制备高质量半绝缘碳化硅单晶具有决定性作用。寻求一种高纯碳化硅粉的生产工艺。
2.意向合作单位:无。
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