氧化锌是一种宽禁带n型半导体，室温下其禁带宽度约3.37eV，具有独特的光学和电学性能，在气敏传感器、太阳能电池、光催化剂、压电和光电器件等领域具有广泛的应用。该材料主要通过化学气相沉积法，与湿化学法制备。化学气相沉积法通常是以有机锌盐作为锌源，氧气作为反应气体，氩气作为载气，在高温环境下，通过锌与氧气的氧化还原作用，使氧化锌生成并沉积在基片上。化学气相沉积法通常用于制备氧化锌阵列，所制备的产物均匀，但是产量较低、设备成本和生产成本高、影响因素多。另外一种方法是采用湿化学法制备氧化锌纳米单晶粉体。通常采用水热法、溶剂热等方法制备纳米棒、纳米花等氧化锌单晶结构。以上两种方法均可以获得形貌可控的氧化锌纳米单晶体，但设备成本和生产成本高、影响因素多、产量较低。本发明提供一种产量高、制备成本低的氧化锌纳米单晶的制备方法。专利优势：本发明提供的氧化锌纳米单晶的制备方法操作简单，产量高，生产成本低。
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