功率型氮化镓基材外延生长研发与产业化

所属分类：新型材料产业

所属单位：闽都实验室

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联系方式：0951-6087161 /5020588

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成果简介

以氮化镓生长在硅基上实现第三代半导体技术，平衡异质外延所产生的晶格失配和热失配，使晶体质量更佳且应力更少，通过优化设计外延层的结构与生长条件、参数提高材料晶体质量，设计新的外延层结构控制材料内部应力，解决硅与氮化镓材料之间由于热失配和晶格失配造成的龟裂与高缺陷密度问题，并通过优化外延层结构参数改善材料电学性能，获得高质量的外延结构，以提供氮化镓功率器件开发和生产等应用终端。

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