本项目将碲熔剂技术与梯度变化温场相结合,开发出一种太赫兹产生与探测用大尺寸ZnTe品体生长技术,即温度梯度熔剂法:通过完善元素掺杂和品片退火工艺,解决了本征ZnTe晶体电阻率低和富碲二次项问题,提高了THz波的产生效率和探测灵敏度。所研制的ZnTe晶体已应用到太赫兹光谱和太赫兹成像等仪器上,实现了我国在太赫兹波段仪器设备核心关键部件的国产化。具有大尺寸、低缺陷、性能优异等优势:生产设备自主设计研发,具有技术壁垒且成本有优势,使用的原材料来源丰富:产品经过与国外产品的性能对比,并且安装到生产设备上出售,没有出现问题。技术指标具有超前性,并且产品的研发具有可持续发展性,在现有基础上进一步研发,能够满足更多的太赫兹技术和产品的需求。