二维过渡金属硫族化合物（TMDCs），比如硫化钼，硫化钨，硒化钼，硒化钨等，其结构类似于石墨烯，厚度同石墨烯一样只有几层原子厚，具有无与伦比的柔韧性。此外，TMDCs还具有优良的半导体光电属性、带隙性质的可控性(单层为直接带隙，多层为间接带隙)、带隙大小的可调性(从多层MoTe的1.0eV到单层WS的2.1eV)、22半导体性到金属性的可变性(通过改变堆叠相位)以及强自旋轨道耦合效应等物理性质，被公认为开发新一代超柔性半导体器件的理想材料。本项目采用自限制CVD生长法，合成出了高质量的2英寸单层MoS2薄膜和WS2薄膜，该类薄膜在超柔性半导体器件领域和IC芯片领域具有极好的应用前景。该项技术所用设备成本低，容易实现产业化，具有很好的应用前景。目前国外公司已有相关产品，但价格较高，国产后将会产生很好的经济效益。
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