针对超硬脆SiC单晶在传统的线锯接触式切割中，存在晶片翘曲、变形和易碎等问题，首次提出一种强等离子体与超声复合的SiC单晶非接触式微细切割方法。将线锯与SiC单晶分别作为阴阳极，调控脉冲电场强度，使加工微区电子通量向气体双峰曲线异常辉光区最大值逼近，产生高强度的负氧离子与SiC单晶表面的活性微区发生氧化反应生成二氧化硅和CO，CO逸出释放，二氧化硅在电解液和线锯的超声作用下去除，达到SiC单晶良好的表面质量和高的材料去除率。研究内容包括：①研究强等离子体对SiC单晶作用机理，等离子体强度与电流参数及极间距的相关性规律；②揭示SiC单晶氧化物在电解液、横向超声和轴向运动的线锯作用下的剥离和去除行为；③建立面向电参数与机械参数的动态极间间距的数学模型，设计动态极间间距观测器以预估间距。本项目将为非良导电类硬脆材料建立一套非接触式微细切割晶片的方法，并为该类制造技术提供系统的理论基础和控制策略。
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