基于NiO/SiNWs的高性能可集成超级电容器电极材料主要涉及一种在硅纳米线上进行无电电镀镍及热氧化退火制备NiO/SiNWS(氧化亚镍/硅纳米线)超级电容器电极材料的方法,属于电化学电容器制备领域。该发明利用硅纳米线具有的尺度小、比表面积大、表面原子存在大量未饱和键，具有很强的表面活性等优点，以其作为负载Ni0 纳米结构的骨架可制备基于NiO/SiNWs的高性能可集成超级电容器电极材料。在400℃快速热退火制备NiO/SINWS 过程中，形成的 NiSi相薄膜不仅具有很好的抗碱性溶液腐蚀能力，而且还具有低电阻率特性，与Si的晶格有较好的匹配能力，Ni-NiSi层可以作为硅基超级电容器良好的电极材料电流收集层。因此NiO/SiNWs纳米复合结构较其他过多金属氧化物超级电容器材料更适合于在集成电路领域应用。其电化学电容性能参数为:质量比电容达681.04F/g，电容密度约 183.2 F/cm’。
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