关于我们 | 帮助中心
欢迎来到宁夏技术市场,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
张进成
返回首页

张进成

所在地:陕西西安市

咨询客服

研究方向 宽禁带半导体材料与器件 超宽禁带半导体材料与器件 半导体微波与功率器件电路设计 新型二维材料与器件

个人简介

博士,二级教授,博士生导师,现任西安电子科技大学科学研究院院长,宽禁带半导体国家工程研究中心副主任,宽带半导体技术国家级重点实验室副主任。分别于1998年、2001年、2004年在西安电子科技大学获得微电子学科学术、硕士和博士学位,2014年在鲁汶大学(欧洲微电子研究中心IMEC)作高级访问学者。兼任新型半导体功率器件国家重点实验室学术委员会委员、微光夜视技术国家级重点实验室学术委员会委员,中国航天科技集团公司元器件应用专业组专家,曾任国务院学位办电子科学与技术学科评议组秘书。
研究领域包括宽禁带与超宽禁带半导体电子材料与器件、二维材料与器件。1998年起师从中国科学院院士郝跃教授开始氮化镓电子材料与器件研究,是国内外最早开展该研究的学者,发表SCI论文300余篇,出版学术专著3部,授权发明专利80余项,近年来成果6次被国际著名行业杂志Semiconductor Today专题报道,在国内外学术会议作特邀报告20余次,多次担任国际学术会议电子器件分会主席。研究成果在北斗导航卫星、新型雷达等国家重大工程中成功应用。

西电宽带隙半导体技术国家重点学科实验室副主任,2007年入选教育部新世纪优秀人才计划。1976年7月出生,陕西省富平人,分别于2001年、2004年在西安电子科技大学获得微电子学与固体电子学硕士和博士学位,2009年6月破格晋升为教授。2005年获陕西省高等学校优秀青年教师和校十佳青年教师称号。先后承担和参与了省部级以上科研项目20余项,其中,作为负责人主持国家级项目2项、省部级项目4项。作为主要负责人之一,成功研制出我国具有自主产权的低缺陷氮化物材料生长的表面反应增强MOCVD设备和高铝组份GaN异质结构微波材料,性能指标达到了国际先进水平。获国家技术发明二等奖1项、省部级科技奖4项;获授权国家发明专利7项,受理国家发明专利7项;发表论文50余篇,其中SCI收录30余篇。主要研究方向宽禁带半导体功率器件与电路设计

Copyright © 2018    宁夏回族自治区生产力促进中心    版权所有    宁ICP备11000235号-3    宁公网安备 64010402000776号

网站访问量:               网站在线人数:0              技术支持:科易网